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晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的內(nèi)部功能

       晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊主要包括反并聯(lián)晶閘管、過(guò)零檢測(cè)觸發(fā)模塊、抑制過(guò)電壓的阻容吸收裝置和散熱裝置。

1、過(guò)零觸發(fā)模塊
       由于切除的電容器上一般都有剩余電壓，而電容器兩端的電壓不能突變，因此，當(dāng)系統(tǒng)電壓和電容器殘壓的差值較大時(shí)，觸發(fā)晶閘管會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流，而可能直接損壞晶閘管。為了實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置快速響應(yīng)，同時(shí)又保證投切無(wú)沖擊電流，因此需要檢測(cè)電容器電壓和電網(wǎng)電壓。只有當(dāng)兩者大小相等、極性相同時(shí)，才能瞬時(shí)投入電容。因此需要加裝過(guò)零觸發(fā)模塊。
       事實(shí)上，在非過(guò)零觸發(fā)時(shí)，其電流沖擊往往能達(dá)到穩(wěn)定值的3倍以上，而當(dāng)過(guò)零觸發(fā)時(shí)，其電流沖擊般僅為穩(wěn)定值的1.5倍，而其電容電壓沖擊僅為穩(wěn)定值的1.15倍。

2、抑制過(guò)電壓阻容吸收裝置
       模塊過(guò)壓保護(hù)一般也可采用阻容吸收法。對(duì)于持續(xù)時(shí)間較短，能量不大的過(guò)電壓，一般可在模塊兩端并聯(lián)阻容吸收電路，用吸收電容把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯起來(lái)。而用吸收電阻不但可以防止電路振蕩，還可限制晶閘管號(hào)通時(shí)電容放電所產(chǎn)生的開(kāi)通損耗和di/dt值。需要說(shuō)明的是，阻容吸收電路中的電容應(yīng)采用交流電容器，其輸入電壓為380V時(shí)，應(yīng)采用630V，輸入電壓為220V時(shí)，則可采用500V的電容耐壓。

3、散熱裝置
       晶閘管開(kāi)關(guān)模塊在運(yùn)行過(guò)程中，其晶閘管芯片的結(jié)溫將升高。為了使結(jié)溫維持在125℃最高額定值以下，必須使用散熱器。而且，散熱條件的好壞，也直接影響模塊的安全、穩(wěn)定和可靠運(yùn)行。目前，散熱方法有水冷、風(fēng)冷（強(qiáng)迫和自然風(fēng)冷）和熱管冷卻等方法。

       晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。