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? ? ? ?為了解決電容器組頻繁投切的問(wèn)題，可以采用新型TSC裝置。其單相原理圖如圖1所示。兩個(gè)反并聯(lián)的晶閘管只是將電容器并人電網(wǎng)或從電網(wǎng)中斷開(kāi)，串聯(lián)的小電抗器用于抑制電容器投人電網(wǎng)運(yùn)行時(shí)可能產(chǎn)生的沖擊電流。這種投切裝置是利用了開(kāi)關(guān)器件反應(yīng)速度快的特點(diǎn)，采用過(guò)零觸發(fā)電路，檢測(cè)到當(dāng)施加在SCR兩端的電壓為零時(shí)發(fā)出觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通。此時(shí)電容器電壓等于電網(wǎng)電壓，無(wú)浪涌電流，解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。此類補(bǔ)償裝置為了保證更好的投切電容器，必須對(duì)電容器預(yù)先充電，充電結(jié)束之后再投人電容器。但TSC對(duì)于抑制沖擊負(fù)荷引起的電壓閃變，單靠電容器投人電網(wǎng)的電容量的變化進(jìn)行調(diào)節(jié)是不夠的，所以TSC裝置一般還要與電感相并聯(lián)。再者可控硅在運(yùn)行導(dǎo)通時(shí)，結(jié)間還會(huì)產(chǎn)生1V左右的壓降，如果使用的電容器額定電流過(guò)高會(huì)產(chǎn)生較大的功耗，這些功耗都變成熱量使設(shè)備溫度升高，同時(shí)可控硅本身還有漏電流存在。

圖1 可控硅投切開(kāi)關(guān)補(bǔ)償裝置原理圖

優(yōu)點(diǎn)：無(wú)觸點(diǎn)，無(wú)合閘涌流，投切反應(yīng)速度塊，使用壽命長(zhǎng)，維護(hù)方便。
缺點(diǎn)：功耗大，發(fā)熱量高，散熱系統(tǒng)復(fù)雜，有漏電電流。

希拓電氣晶閘管（可控硅）投切開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)一目了然

電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，無(wú)沖擊電流； 光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時(shí)間＜15ms
專利散熱片，無(wú)軸流風(fēng)機(jī)，主動(dòng)散熱，運(yùn)行無(wú)噪聲，組件免維護(hù)，使用壽命長(zhǎng)；內(nèi)置過(guò)溫（85℃）保護(hù)；
三色LED信號(hào)燈分別顯示開(kāi)關(guān)通電、運(yùn)行、故障狀態(tài)；兼容性強(qiáng)，可與全球各種規(guī)格無(wú)功補(bǔ)償控制器配套。